LV-Nummer: 439.060
Stunden: 2 Vo(Vorlesung)
Semester: 4. Sem.
Institut: 439 (``IFE'' )
ECTS-Punkte: 3.0 credits
Vortragender:
N.N.
Lehrinhalt:
Leitungsmechanismen im Leiter und Halbleiter; PN-Übergang: Diffusionsspannung, Diffusions- und Sperrschichtkapazität, U/I-Kennlinie, Durchbruchsmechanismen, Tunneleffekt, verschiedene Dioden bis LED und Laser; Transistor: Funktion und Ströme im Transistor, Kennlinien, Vierpolparameter und Arbeitspunkt, Ersatzschaltbilder und Arbeitsbereiche, Durchbruchsmechanismen, Rauschen und Rauschanpassung; Vielschichtelemente und deren Funktion; Feldeffekttransistoren bis Leistungs-MOS-FET, IGBT und deren parasitäre Effekte; Quarz; Besonderheiten realer Widerstände, Kondensatoren und Induktivitäten.
Lehrziel:
Vermittlung von Kenntnissen über die wichtigsten Bauelemente der Elektronik, ihre Funktionsweise und Eigenschaften.
Lehrmethode:
Vorlesung
Voraussetzungen:
Keine
Studienbehelfe:
Skriptum, bei der Hochschülerschaft erhältlich
Prüfungsmodus:
Schriftlich
Anmerkungen:
Bitte Aushang am Institut beachten